JANS1N5811US_代理商_批发/采购【买卖IC网】JANS1N5811US

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说明
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JANS1N5811US
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
86
MSC
N/A
-
公司现货!只做原装!

JANS1N5811US IC
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
3685
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
全新正品现货供应代理库存

JANS1N5811US
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯专营优势产品

JANS1N5811US
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
55359
Microchip Technology
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

JANS1N5811US
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Waffle Pack
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF

JANS1N5811US 技术参数

JANS1N5809 功能描述:Diode Standard 100V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N5806US 功能描述:Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N5806 功能描述:Diode Standard 150V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N5617US 功能描述:Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:35pF @ 12V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JANS1N5615 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:45pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N6309C JANS1N6309CUS JANS1N6309D JANS1N6309DUS JANS1N6310C JANS1N6310CUS JANS1N6310D JANS1N6310DUS JANS1N6310US JANS1N6311 JANS1N6311C JANS1N6311CUS JANS1N6311CUS/TR JANS1N6311DUS JANS1N6311US JANS1N6311US/TR JANS1N6312 JANS1N6312C

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