JAN2N497

配单专家企业名单

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说明
操作

JAN2N497
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-205AA
23+
-
微芯专营优势产品

JAN2N4978
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
MOT
原厂封装
08+
-

JAN2N497
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
TRANSISTOR
CAN-3
18+
-
优势库存，原装现货

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JAN2N497 技术参数

JAN2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JAN2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-72-3 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 JAN2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/317 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装:TO-46（TO-206AB）标准包装:1 JAN2N4399 功能描述:TRANS PNP 60V 30A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/433 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:750mV @ 1A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15A，2V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3（TO-204AA）标准包装:1 JAN2N4261UB 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/511 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JAN2N5153 JAN2N5153L JAN2N5154 JAN2N5154L JAN2N5157 JAN2N5237 JAN2N5237S JAN2N5238 JAN2N5238S JAN2N5302 JAN2N5339 JAN2N5415 JAN2N5415S JAN2N5416 JAN2N5416S JAN2N5416UA JAN2N5581 JAN2N5582