JAN1N6164

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

JAN1N6164
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
Axial
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N6164
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
5800
SEMTECH（美国）
T DAP 1500W 10%
1706+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

JAN1N6164
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

JAN1N6164
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

1/1页 40条/页共3条
1

您是不是要找： JAN1N6164A JAN1N6164AUS JAN1N6164US JAN1N6165 JAN1N6165A JAN1N6165AUS JAN1N6165US JAN1N6166 JAN1N6166A

JAN1N6164 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

JAN1N6164 PDF下载

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk

JAN1N6164 技术参数

JAN1N6163US 功能描述:TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:56V 电压 - 击穿（最小值）:67.74V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:108.26V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:13.78A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6163AUS 功能描述:TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:56V 电压 - 击穿（最小值）:71.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:103.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:14.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6163A 功能描述:TVS DIODE 56VWM CPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:56V 电压 - 击穿（最小值）:71.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:103.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:14.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JAN1N6163 功能描述:TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:56V 电压 - 击穿（最小值）:67.74V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:108.26V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:13.78A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JAN1N6162US 功能描述:TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:51.7V 电压 - 击穿（最小值）:61.37V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:101.96V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:14.63A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6166AUS JAN1N6166US JAN1N6167 JAN1N6167A JAN1N6167AUS JAN1N6167US JAN1N6168 JAN1N6168A JAN1N6168AUS JAN1N6168US JAN1N6169 JAN1N6169A JAN1N6169AUS JAN1N6169US JAN1N6170 JAN1N6170A JAN1N6170AUS JAN1N6170US