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说明
操作

JAN1N5639A
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
DO-202AA
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N5639A
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
0
37
NA
-
全新原装！优势库存热卖中！

JAN1N5639A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
DIODES
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

JAN1N5639A
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
2798
NA
N/A
18+
-
进口原装特价出售

JAN1N5639A
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
82
MSC
2002
-
公司现货,只做原装！

JAN1N5639A
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4774
MSC
DO-13
2203+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode TVS Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW 2-Pin DO-13
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TVS SGL UNI-DIR 15.3V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode TVS Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW 2-Pin DO-13

JAN1N5639A 技术参数

JAN1N5637A 功能描述:TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12.8V 电压 - 击穿（最小值）:14.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5635A 功能描述:TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:10.2V 电压 - 击穿（最小值）:11.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:16.7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:90A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5632A 功能描述:TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:7.78V 电压 - 击穿（最小值）:8.65V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:112A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5629A 功能描述:TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5.8V 电压 - 击穿（最小值）:6.45V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:143A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5623US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 12V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5652A JAN1N5653A JAN1N5655A JAN1N5660A JAN1N5711-1 JAN1N5711UR-1 JAN1N5772 JAN1N5802 JAN1N5802URS JAN1N5802US JAN1N5804 JAN1N5804URS JAN1N5804US JAN1N5806 JAN1N5806URS JAN1N5806US JAN1N5807 JAN1N5807URS

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