IXZR16N60

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IXZR16N60
深圳市深科创科技有限公司
深圳市深科创科技有限公司
联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
IXYS/艾赛斯
TO-3P
2020+
-
全新原装现货渠道优势库存假一罚十

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1

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制造商
IXYS
制造商全称
IXYS Corporation
功能描述
Z-MOS RF Power MOSFET

IXZR16N60 技术参数

IXZ-2510 功能描述:Gyroscope X (Pitch), Z (Yaw) ±250, 500, 1000, 2000 250Hz ~ 3.6kHz I2C, SPI 16-QFN (3x3) 制造商:invensense 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:数字轴:X（俯仰），Z（横滚）范围 °/s:±250，500，1000，2000 Sensitivity (LSB/(°/s)):16.4 ~ 131 Sensitivity (mV/°/s):- 带宽:250Hz ~ 3.6kHz 输出类型:I2C，SPI 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:2.8mA 特性:可调带宽，可选量程，睡眠模式，温度传感器工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘标准包装:1 IXS839S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839S1 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IZ0515SA IZ1203S IZ1203SA IZ1205S IZ1205SA IZ1212S IZ1212SA IZ1215S IZ1215SA IZ2403S IZ2403SA IZ2405S IZ2405SA IZ2412S IZ2412SA IZ2415S IZ2415SA IZ4803S