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IX2A11S1T/R

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  • IX2A11S1T/R
    IX2A11S1T/R

    IX2A11S1T/R

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-621049316210489162104578

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • IXYS

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十

  • IX2A11S1T/R
    IX2A11S1T/R

    IX2A11S1T/R

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:谭玉丽

    电话:19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 10001

  • IXYS

  • 8-SOIC

  • 12+

  • -
  • 授权分销 现货热卖

  • IX2A11S1T/R
    IX2A11S1T/R

    IX2A11S1T/R

  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部:马先生

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    资质:营业执照

  • 369

  • IXYS

  • 8-SOIC

  • 23+

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  • 功能描述
  • 功率驱动器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 产品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 类型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升时间
  • 下降时间
  • 电源电压-最大
  • 30 V
  • 电源电压-最小
  • 2.75 V
  • 电源电流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-8
  • 封装
  • Tube
IX2A11S1T/R 技术参数
  • IX2A11S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 IX2A11P1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 IX2204NE 功能描述:IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:低压侧 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:-10 V ~ 25 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-,8ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 IX21844N 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.4A,1.8A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):23ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标准包装:50 IX2127NTR 功能描述:IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:* 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS IX3120GSTR IX3180G IX3180GS IX3180GSTR IX40G-A-10S-CV(7.0) IX4340NE IX4423MTR IX4423N
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