IS42VM1616OD-8BLI

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IS42VM1616OD-8BLI 技术参数

IS42VM16160K-75BLI 功能描述:IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（16M x 16）速度:133MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA（8x8）标准包装:348 IS42VM16160E-75BLI-TR 功能描述:动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile S动态随机存取存储器,16Mx16,133Mhz RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42VM16160E-75BLI 功能描述:动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile S动态随机存取存储器,16Mx16,133Mhz RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42VM16160E-6BLI-TR 功能描述:动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile S动态随机存取存储器 RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42VM16160E-6BLI 功能描述:动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile S动态随机存取存储器 RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42VM16320D-75BLI-TR IS42VM16320E-6BLI IS42VM16320E-6BLI-TR IS42VM16320E-75BLI IS42VM16320E-75BLI-TR IS42VM16400K-6BLI IS42VM16400K-6BLI-TR IS42VM16400K-75BLI IS42VM16400K-75BLI-TR IS42VM16400M-6BLI IS42VM16400M-6BLI-TR IS42VM16400M-75BLI IS42VM16400M-75BLI-TR IS42VM16800E-75BLI IS42VM16800E-75BLI-TR IS42VM16800G-6BL IS42VM16800G-6BLI IS42VM16800G-6BLI-TR