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IRFH8321

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  • IRFH8321PBF
    IRFH8321PBF

    IRFH8321PBF

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人：张育豪 13360528695

    电话：0755-23607487

    地址：深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质：营业执照

  • 55630

  • INFINEON/英飞凌

  • PQFN

  • 22+

  • -

  • 原厂原装现货

  • IRFH8321TRPBF
    IRFH8321TRPBF

    IRFH8321TRPBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • IRFH8321TRPBF
    IRFH8321TRPBF

    IRFH8321TRPBF

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PQFN（5x6）

  • 19+

  • -

  • 代理直销！进口原装正品！

  • IRFH8321TRPBF
    IRFH8321TRPBF

    IRFH8321TRPBF

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-292759351581559886118576729816

    地址：广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • IR

  • 近两年生产

  • QFN-8

  • -

  • 每一片都来自原厂

  • IRFH8321TRPBF
    IRFH8321TRPBF

    IRFH8321TRPBF

  • 深圳市百润电子有限公司
    深圳市百润电子有限公司

    联系人：梁

    电话：17876146278

    地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A

  • 200

  • Infineon

  • QFN

  • 23+

  • -

  • 全新原装正品*海量现货库存*全网最低

  • IRFH8321TRPBF
    IRFH8321TRPBF

    IRFH8321TRPBF

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人：唐先生

    电话：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质：营业执照

  • 5310

  • IR

  • PQFN-8

  • 12+PBF

  • -

  • 原装现货/特价

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  • 1
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IRFH8321 技术参数
  • IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRFH8337TR2PBF IRFH8337TRPBF IRFH9310TRPBF IRFHE4250DTRPBF IRFHM3911TRPBF IRFHM4226TRPBF IRFHM4231TRPBF IRFHM4234TRPBF IRFHM7194TRPBF IRFHM792TR2PBF IRFHM792TRPBF IRFHM8228TRPBF IRFHM8235TRPBF IRFHM830DTR2PBF IRFHM830DTRPBF IRFHM830TR2PBF IRFHM830TRPBF IRFHM831TR2PBF
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