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IRF7807PBF

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  • IRF7807PBF
    IRF7807PBF

    IRF7807PBF

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：廖小姐

    电话：13410012158

    地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • IR

  • 8-SOIC

  • 11+

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  • 100%进口原装正品，只做原装

  • IRF7807PBF
    IRF7807PBF

    IRF7807PBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Infineon

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 代理此型号.原装特价现货！

  • IRF7807PBF
    IRF7807PBF

    IRF7807PBF

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • IR

  • SOP-8

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • IRF7807PBF
    IRF7807PBF

    IRF7807PBF

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 6000

  • IR

  • SOP-8

  • 15+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • IRF7807PBF
    IRF7807PBF

    IRF7807PBF

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • 8-SO

  • 19+

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  • 代理直销！进口原装正品！

  • IRF7807PBF
    IRF7807PBF

    IRF7807PBF

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：何芝

    电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 2350

  • IR

  • ROHS

  • 201315+

  • -

  • 原装正品，现货库存！400-800-03...

  • IRF7807PBF
    IRF7807PBF

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  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    联系人：李小姐/肖先生

    电话：0755-8257149682571956

    地址：赛格广场69楼6900

    资质：营业执照

  • 13985

  • IR

  • 原厂封装

  • 21+

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  • ★假一赔十!绝对原装现货市场最低价！★

  • IRF7807PBF
    IRF7807PBF

    IRF7807PBF

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人：丁皓鹏

    电话：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质：营业执照

  • 10000

  • AVAGOAVAGOAVAGO

  • SOP

  • 15+

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  • 原装正品，价格优势！

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET, 30V, 8.3A, 25 MOHM, 12 NC QG, SO-8
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • TRANS MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIC - Rail/Tube
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET N LOGIC SO-8
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity
IRF7807PBF 技术参数
  • IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 IRF7807VD2TRPBF IRF7807VPBF IRF7807VTR IRF7807VTRPBF IRF7807Z IRF7807ZPBF IRF7807ZTR IRF7807ZTRPBF IRF7809 IRF7809A IRF7809ATR IRF7809AV IRF7809AVTRPBF IRF7809PBF IRF7809TR IRF7811 IRF7811A IRF7811APBF
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