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IRF6729MTR

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  • IRF6729MTRPBF.
    IRF6729MTRPBF.

    IRF6729MTRPBF.

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人：张育豪 13360528695

    电话：0755-23607487

    地址：深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质：营业执照

  • 52135

  • IR

  • QFN

  • 22+

  • -

  • 原厂原装现货

  • IRF6729MTR1PBF
    IRF6729MTR1PBF

    IRF6729MTR1PBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货！

  • IRF6729MTRPBF
    IRF6729MTRPBF

    IRF6729MTRPBF

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 638850

  • IR

  • SMD

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，价格超越代理！

  • IRF6729MTRPBF
    IRF6729MTRPBF

    IRF6729MTRPBF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原装正品进口现货 电话010-62104...

  • IRF6729MTRPBF
    IRF6729MTRPBF

    IRF6729MTRPBF

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • IR

  • 原厂原装

  • 10+

  • -

  • 全新原装100%正品保证质量

  • IRF6729MTR1PBF
    IRF6729MTR1PBF

    IRF6729MTR1PBF

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • International Rectifier

  • 原厂原装

  • 18+

  • -

  • 原装现货，优势供应

  • IRF6729MTR1PBF
    IRF6729MTR1PBF

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • DIRECTFET? MX

  • 19+

  • -

  • 代理直销！进口原装正品！

  • IRF6729MTR1PBF.
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 6845

  • IR

  • DIRECTFET

  • 1317+

  • -

  • 全新原装现货

  • IRF6729MTR1PBF
    IRF6729MTR1PBF

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：何芝

    电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 2350

  • IR

  • ROHS

  • 201315+

  • -

  • 原装正品，现货库存！400-800-03...

  • IRF6729MTRPBF.
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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人：许先生

    电话：18898761413

    地址：华强北都会轩4507

    资质：营业执照

  • 30000

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  • QFN

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  • 原装正品，可含税供应。品质保障

  • IRF6729MTR1PBF
    IRF6729MTR1PBF

    IRF6729MTR1PBF

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部

    联系人：朱小姐

    电话：13428937514

    地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

    资质：营业执照

  • 50000

  • IR

  • DIRECTFET

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  • 公司现货库存，全新原装正品。假一罚十,可...

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IRF6729MTR 技术参数
  • IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 IRF6795MTRPBF IRF6797MTR1PBF IRF6797MTRPBF IRF6798MTR1PBF IRF6798MTRPBF IRF6802SDTR1PBF IRF6802SDTRPBF IRF6810STR1PBF IRF6810STRPBF IRF6811STR1PBF IRF6811STRPBF IRF6892STR1PBF IRF6892STRPBF IRF6893MTR1PBF IRF6893MTRPBF IRF6894MTR1PBF IRF6894MTRPBF IRF6898MTR1PBF
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