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IRF6723M2DTRPBF

配单专家企业名单
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  • IRF6723M2DTRPBF.
    IRF6723M2DTRPBF.

    IRF6723M2DTRPBF.

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人：张育豪 13360528695

    电话：0755-23607487

    地址：深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质：营业执照

  • 3995

  • IR

  • QFN

  • 22+

  • -

  • 原厂原装现货

  • IRF6723M2DTRPBF
    IRF6723M2DTRPBF

    IRF6723M2DTRPBF

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • IR

  • SMD

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • IRF6723M2DTRPBF
    IRF6723M2DTRPBF

    IRF6723M2DTRPBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • IR

  • DF2-MA

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理，原装正品现货！！

  • IRF6723M2DTRPBF
    IRF6723M2DTRPBF

    IRF6723M2DTRPBF

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 638850

  • IR

  • DF2-MA

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，价格超越代理！

  • IRF6723M2DTRPBF
    IRF6723M2DTRPBF

    IRF6723M2DTRPBF

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • DIRECTFET? MA

  • 19+

  • -

  • 代理直销！进口原装正品！

  • IRF6723M2DTRPBF.
    IRF6723M2DTRPBF.

    IRF6723M2DTRPBF.

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 19975

  • IR

  • QFN

  • 1014+

  • -

  • 全新原装现货

  • IRF6723M2DTRPBF.
    IRF6723M2DTRPBF.

    IRF6723M2DTRPBF.

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人：许先生

    电话：18898761413

    地址：华强北都会轩4507

    资质：营业执照

  • 30000

  • IR

  • QFN

  • 24+

  • -

  • 原装正品，可含税供应。品质保障

  • IRF6723M2DTRPBF
    IRF6723M2DTRPBF

    IRF6723M2DTRPBF

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部

    联系人：朱小姐

    电话：13428937514

    地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

    资质：营业执照

  • 50000

  • IR

  • QFN

  • 14+

  • -

  • 公司现货库存，全新原装正品。假一罚十,可...

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  • 功能描述
  • MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
IRF6723M2DTRPBF 技术参数
  • IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 IRF6728MTRPBF IRF6729MTR1PBF IRF6729MTRPBF IRF6775MTR1PBF IRF6775MTRPBF IRF6785MTR1PBF IRF6785MTRPBF IRF6794MTR1PBF IRF6794MTRPBF IRF6795MTR1PBF IRF6795MTRPBF IRF6797MTR1PBF IRF6797MTRPBF IRF6798MTR1PBF IRF6798MTRPBF IRF6802SDTR1PBF IRF6802SDTRPBF IRF6810STR1PBF
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