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IRF631

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  • IRF6319
    IRF6319

    IRF6319

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:张育豪 13360528695

    电话:0755-23607487

    地址:深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质:营业执照

  • 3580

  • IR

  • QFN

  • 22+

  • -
  • 原厂原装现货

  • IRF631
    IRF631

    IRF631

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • IR

  • TO-263

  • 最新批号

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  • IRF631
    IRF631

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-220

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • IRF631
    IRF631

    IRF631

  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 10000

  • FSC

  • TO-220

  • 17+

  • -
  • ★专注专业,诚信为本,品质第一,共创双赢...

  • IRF631
    IRF631

    IRF631

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • IR

  • TO-263

  • 最新批次

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  • OEM渠道,价格超越代理!

  • IRF631
    IRF631

    IRF631

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • INTERNATIONAL RECTIFIER

  • 09+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • IRF63193
    IRF63193

    IRF63193

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • HAR

  • 原厂封装

  • 最新

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • IRF6311
    IRF6311

    IRF6311

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2350

  • IR

  • ROHS

  • 201315+

  • -
  • 原装正品,现货库存!400-800-03...

  • IRF631
    IRF631

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 300000

  • YXYBDT台湾

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • IRF631
    IRF631

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • FAI

  • TO220-3

  • 18+

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  • 原装正品,欢迎订购

  • IRF631
    IRF631

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
IRF631 技术参数
  • IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 IRF540,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):77 毫欧 @ 17A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1187pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF540 功能描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):77 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):870pF @ 25V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF634SPBF IRF634STRL IRF634STRLPBF IRF634STRR IRF634STRRPBF IRF640 IRF640,127 IRF640FP IRF640L IRF640LPBF IRF640NL IRF640NLPBF IRF640NPBF IRF640NSPBF IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRRPBF IRF640PBF IRF640S
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