IR25606SPBF.

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制造商
International Rectifier
功能描述
DRIVER, MOSFET/IGBT, HALF BRIDGE, SOIC-8

IR25606SPBF. 技术参数

IR25606SPBF 功能描述:功率驱动器IC 2Ch 600V Half Bridge 200mA 350mA 10-20V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR25604STRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V High Low Side 200mA 350mA 10-20V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR25604SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V High Low Side 200mA 350mA 10-20V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR25603STRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V Half Bridge 80 40 ns 15.6V 1.2us RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR25603SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V Half Bridge 80 40 ns 15.6V 1.2us RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR267 IR2C91B1 IR2D07 IR2D08F1 IR2D17F IR2D18H IR2D20U IR2D35W IR2D37F1 IR2E46Y6 IR2E49U IR2E49U6 IR2E51Y6 IR2E53Y6 IR300UV IR3080M IR3080MPBF IR3080MTR