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HMC192S14E

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    HMC192S14E

    HMC192S14E

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • HITTITE

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HMC192S14E 技术参数
  • HMC190BMS8ETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 3GHz 50 Ohm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:3GHz 隔离 @ 频率:30dB @ 2.5GHz(标准) 插损 @ 频率:0.8dB @ 2.5GHz IIP3:55dBm(标准) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:29dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3 V ~ 8 V RF 类型:通用 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC190BMS8E 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 3GHz 50 Ohm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:3GHz 隔离 @ 频率:30dB @ 2.5GHz(标准) 插损 @ 频率:0.8dB @ 2.5GHz IIP3:55dBm(标准) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:29dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3 V ~ 8 V RF 类型:通用 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC190AMS8E 功能描述:RF Switch IC WLAN SPDT 3GHz 50 Ohm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 频率?- 下:DC 频率?- 上:3GHz 隔离 @ 频率:22dB @ 3GHz(标准) 插损 @ 频率:0.7dB @ 3GHz IIP3:49dBm(标准) 拓扑:反射 电路:SPDT P1dB:29dBm(标准) IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3 V ~ 8 V RF 类型:WLAN 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC189AMS8ETR 功能描述:RF IC Doubler HiperLAN, UNII 2GHz ~ 4GHz 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:生命周期结束 功能:倍增器 频率:2GHz ~ 4GHz RF 类型:HiperLAN,UNII 辅助属性:- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC189AMS8E 功能描述:RF IC Doubler HiperLAN, UNII 2GHz ~ 4GHz 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:生命周期结束 功能:倍增器 频率:2GHz ~ 4GHz RF 类型:HiperLAN,UNII 辅助属性:- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC199AMS8TR HMC199MS8ETR HMC19DRAH HMC19DRAH-S734 HMC19DRAI HMC19DRAI-S734 HMC19DRAN HMC19DRAN-S734 HMC19DRAS HMC19DRAS-S734 HMC19DREF HMC19DREF-S13 HMC19DREF-S734 HMC19DREH HMC19DREH-S13 HMC19DREH-S734 HMC19DREH-S93 HMC19DREI
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