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H11A2/3/4/5

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    H11A2/3/4/5

    H11A2/3/4/5

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人：张小姐/韩先生

    电话：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

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H11A2/3/4/5 技术参数
  • H11A2 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 电流传输比（最大值）:- 打开 / 关闭时间（典型值）:- 上升/下降时间（典型值）:2.8μs，4.5μs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:6-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装:6-DIP 标准包装:65 H11A1S 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 10mA 电流传输比（最大值）:- 打开 / 关闭时间（典型值）:- 上升/下降时间（典型值）:2.8μs，4.5μs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD，鸥翼型 供应商器件封装:6-SMD 标准包装:65 H11A1 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 10mA 电流传输比（最大值）:- 打开 / 关闭时间（典型值）:- 上升/下降时间（典型值）:2.8μs，4.5μs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:6-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装:6-DIP 标准包装:65 H1199NL 功能描述:XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100 制造商:pulse electronics corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 变压器类型:隔离和数据接口（封装式） 电感:- 匝数比 - 初级:次级:1：1 发射器，1：1 接收器 E.T.:- 安装类型:表面贴装 大小/尺寸:12.70mm 长 x 7.11mm 宽 高度 - 安装（最大值）:6.22mm 标准包装:40 H1199FNLT 功能描述:PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX 制造商:pulse electronics network 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 H11A2M-V H11A2S H11A2S(TA) H11A2S(TA)-V H11A2S(TB) H11A2S(TB)-V H11A2S1(TA) H11A2S1(TA)-V H11A2S1(TB) H11A2S1(TB)-V H11A2SD H11A2SM H11A2SR2M H11A2SR2VM H11A2S-TA1 H11A2SVM H11A2TM H11A2TVM
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