ES2J-E3/57

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ES2J-E3/57T
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
VISHAY
SMB/DO-
22+
-
全新原装现货供应

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ES2J-E3/57 技术参数

ES2GTR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES2DVRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD-123W 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 ES2DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 ES2DRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:980mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:17pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD-123W 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 ES2DPX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A 5CFP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:5-CFP 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 ES2LG R5G ES2LGHM4G ES2LGHR5G ES2LJ M4G ES2LJ R5G ES2LJHM4G ES2LJHR5G ES2-M ES2M-TP ES2P41653 ES2P41653001 ES2S41653 ES2S41653001 ES2-THB ES3266 ES3277 ES3299 ES3A