EPC22C-20

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EPC22C-20
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ALTERA
PLCC-20
13+
-
全新原装100%正品保证质量

EPC22C-20
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ALTERA
PLCC-20
13+
-
全新原装100%正品保证质量

EPC22C-20
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ALTERA
PLCC-20
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！

EPC22C-20
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
85
ALTERA
PLCC-20
2012+
-
只做原装正品。

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EPC22C-20 技术参数

EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 4A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 4A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）标准包装:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:60V，100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR