EP3C10F256C8NJ

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深圳市佳斯泰科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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EP3C10F256C8NJ 技术参数

EP3C10F256C8N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone III 645 LABs 182 IOs RoHS:否制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3C10F256C8 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone III 645 LABs 182 IOs RoHS:否制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3C10F256C7N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone III 645 LABs 182 IOs RoHS:否制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3C10F256C7 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone III 645 LABs 182 IOs RoHS:否制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3C10F256C6N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone III 645 LABs 182 IOs RoHS:否制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 EP3C10U256C7N EP3C10U256C8 EP3C10U256C8N EP3C10U256I7 EP3C10U256I7N EP3C120F484C7 EP3C120F484C7N EP3C120F484C7NES EP3C120F484C8 EP3C120F484C8N EP3C120F484I7 EP3C120F484I7N EP3C120F780C7 EP3C120F780C7N EP3C120F780C8 EP3C120F780C8N EP3C120F780I7 EP3C120F780I7N