DQ1280-1R5M

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DQ1280-1R5M 技术参数

DQ1280-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 550mA 1.82 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:550mA 电流 - 饱和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.82 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 DQ1280-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 220 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:220 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 DQ1280-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 5.4A 22 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:5.4A 电流 - 饱和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:22 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 DQ1260-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 580mA 770 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1260，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:580mA 电流 - 饱和值:580mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:770 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 DQ1260-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 1.8A 75 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1260，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:75 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 DQ1280-3R5M DQ1280-470M DQ1280-471M DQ1280-4R7M DQ1280-560M DQ1280-561M DQ1280-680M DQ1280-681M DQ1280-6R1M DQ1280-6R8M DQ1280-7R6M DQ1280-820M DQ1280-821M DQ2001-9R DQ2001-9RG DQ2320-7R DQ2320-9R DQ2320-9RB1