DMJT9435_代理商_批发/采购【买卖IC网】DMJT9435

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DMJT9435DI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
DIODES
SOT-223
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

DMJT9435-13
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
SOT223
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

DMJT9435-13
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
DIODES/美台
SOT-223
22+
-
十年配单，只做原装

DMJT9435
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
DIODES
SOT223
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DMJT9435-13
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

DMJT9435
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
10000
D
SOT223
2012+
-
只做原装正品。

DMJT9435-13
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
11170
DIODES IN
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

DMJT9435-13
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
2500
DIODES INC.
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

DMJT9435-13
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Diodes
22+
-
原装正品

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1

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制造商
DIODES
制造商全称
Diodes Incorporated
功能描述
LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

DMJT9435 技术参数

DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包装:托盘零件状态:在售电容:35mF 容差:±20% 电压 - 额定:4.5V ESR（等效串联电阻）:300 毫欧 @ 1kHz 不同温度时的使用寿命:- 端接:SMD（SMT）凸片安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，扁平引线引线间距:- 大小/尺寸:0.787" 长 x 0.787" 宽（20.00mm x 20.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.016"（0.40mm）工作温度:-40°C ~ 85°C 标准包装:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 11.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.62A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN3030-8 标准包装:1 DML1009LDS-7 DML10M8LDS-13 DML3006LFDS-7 DML3009LDC-7 DML-430A DML-430A-C DM-LX3-1 DMM1P15K-F DMM1P22K-F DMM1P33K-F DMM1P47K-F DMM1P68K-F DMM1W10K-F DMM1W1K-F DMM1W1P5K-F DMM1W2P2K-F DMM1W3P3K-F DMM1W4P7K-F