您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > D字母型号搜索 >

DD121S14K-K

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • DD121S14K-K
    DD121S14K-K

    DD121S14K-K

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • EUPEC

  • MODULE

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • DD121S14K-K
    DD121S14K-K

    DD121S14K-K

  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石

    资质:营业执照

  • 256

  • Infineon Technologies

  • 标准封装

  • 23+

  • -
  • 真实的资源竭诚服务您!

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
DD121S14K-K PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • SCR模块 Thyristor 1400V 121A
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 开启状态 RMS 电流 (It RMS)
  • 260 A
  • 不重复通态电流
  • 4000 A
  • 最大转折电流 IBO
  • 4200 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM
  • 1.6 kV
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)
  • 20 mA
  • 开启状态电压
  • 1.43 V
  • 保持电流(Ih 最大值)
  • 栅触发电压 (Vgt)
  • 栅触发电流 (Igt)
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • Chassis
  • 封装 / 箱体
  • INT-A-PAK
DD121S14K-K 技术参数
  • DD1217AS-H-8R2M=P3 功能描述:8.2μH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 33.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:8.2μH 容差:±20% 额定电流:4.5A 电流 - 饱和值:6.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):33.6 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 DD1217AS-H-6R8N=P3 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 27.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±30% 额定电流:4.8A 电流 - 饱和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):27.6 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 DD1217AS-H-5R6N=P3 功能描述:5.6μH Shielded Wirewound Inductor 5.4A 22.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:5.6μH 容差:±30% 额定电流:5.4A 电流 - 饱和值:8.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):22.8 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 DD1217AS-H-4R7N=P3 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 6.3A 18 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:6.3A 电流 - 饱和值:9A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):18 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 DD1217AS-H-470M=P3 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 204 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):204 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 DD1274AS-H-6R8N=P3 DD1274AS-H-8R2M=P3 DD-12AFFM-RL7A01 DD-12AFMM-QL8D01 DD-12AFMM-QR8D01 DD-12AFMM-RL7A01 DD-12AMFM-QL8D01 DD-12AMFM-RL7A01 DD-12AMMM-RL7A01 DD-12PMFS-QC8001 DD-12RFFC-RC7B10 DD-12RFFC-RC7B30 DD-12RFFC-RS7B10 DD-12RFMC-RC7B10 DD-12RFMC-RS7B10 DD-12RMFS-QC8001 DD-13964 DD-14AFFM-QL8D01
配单专家

在采购DD121S14K-K进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买DD121S14K-K产品风险,建议您在购买DD121S14K-K相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的DD121S14K-K信息由会员自行提供,DD121S14K-K内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号