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CMZ180

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  • 深圳市源运电子商行
    深圳市源运电子商行

    联系人:林先生

    电话:15913992480

    地址:深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼

  • 30000

  • TOSHIBA

  • DO-214AC

  • 16+

  • -
  • 原装公司现货

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  • 1
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CMZ180 技术参数
  • CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ16(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ15(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ13(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ12(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ5919B BK CMZ5919B TR13 CMZ5920B BK CMZ5920B TR13 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13
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