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CMLDM7003TEG

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CMLDM7003TEG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
CENTRAL
SOT-563
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： CMLDM7003TG TR CMLDM7120G TR CMLDM7484 TR CMLDM7585 TR CMLDM8002AG TR CMLDM8005 TR CMLDM8120 TR CMLDM8120G TR CMLHPB111-1REC4-34606-3-V

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CMLDM7003TEG 技术参数

CMLDM7003T TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7003G TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7003 TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7002AJ TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7002AG TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLHPB111-1RLS4-37029-250 CMLHPB111-1RLS4-40526-300 CMLHPB11-1REC4-34606-2-V CMLHPB11-1REC4-40599-225-V CMLHPB11-1RLS4-37029-200 CMLHPB11-1RLS4-40599-175-V CMLHPB11-1RLS4-40599-200-V CMLHPB11-1RLS4-52-125.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250