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BZX79-C5V6113

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BZX79-C5V6113
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3237
NEXPERIA
DO35
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
ZENER DIODE 500mW 5.6V DO-35

BZX79-C5V6113 技术参数

BZX79C5V6_T50R 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79C5V6_T50A 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX79-C5V6,143 功能描述:Zener Diode 5.6V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-C5V6,133 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79C5V6 标准包装:1 BZX79-C5V6,113 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79C5V6 标准包装:1 BZX79-C68,143 BZX79C6V2 BZX79C6V2 A0G BZX79-C6V2,113 BZX79-C6V2,133 BZX79-C6V2,143 BZX79C6V2_T50A BZX79C6V2_T50R BZX79C6V2-T50A BZX79C6V2-T50R BZX79C6V8 BZX79C6V8 A0G BZX79-C6V8,113 BZX79-C6V8,133 BZX79-C6V8,143 BZX79C6V8_T50A BZX79C6V8_T50R BZX79C6V8-T50A