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BZX79-B20113

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BZX79-B20113 技术参数
  • BZX79-B20,143 功能描述:DIODE ZENER 20V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79B20 标准包装:1 BZX79-B20,133 功能描述:Zener Diode 20V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79-B20,113 功能描述:DIODE ZENER 20V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79B20 标准包装:1 BZX79B20 A0G 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:14mA @ 50mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79-B18,143 功能描述:Zener Diode 18V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-B27,113 BZX79-B27,133 BZX79-B27,143 BZX79B2V4 A0G BZX79-B2V4,113 BZX79-B2V4,133 BZX79-B2V4,143 BZX79B2V7 A0G BZX79-B2V7,113 BZX79-B2V7,133 BZX79-B2V7,143 BZX79B30 A0G BZX79-B30,113 BZX79-B30,133 BZX79-B30,143 BZX79B33 A0G BZX79-B33,113 BZX79-B33,133
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