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BYV30E-200

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BYV30E-200
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
4680
NXP
TO-220
1219+
-
原装现货/特价

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BYV30E-200 技术参数

BYV30B-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.55V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:800 BYV30-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.55V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1,000 BYV29X-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220F 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1,000 BYV29X-600AQ 功能描述:DIODE GEN PURP TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件状态:在售标准包装:1,000 BYV29X-600,127 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.26V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220FP 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BYV29-600 标准包装:1,000 BYV32-200-E3/45 BYV32-200G BYV32-200HE3/45 BYV32-50-E3/45 BYV32-50HE3/45 BYV32E-100,127 BYV32E-150,127 BYV32E-200,127 BYV32E-200PQ BYV32EB-200,118 BYV32EB-200PQ BYV32G-200,127 BYV34-400,127 BYV34-500,127 BYV34-600,127 BYV34G-600,127 BYV34X-600,127 BYV37-TAP