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BYM358DX

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  • BYM358DX
    BYM358DX

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • PH

  • TO3PF

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  • BYM358DX
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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 1153

  • PHILIPS

  • TO220

  • 2024+

  • -
  • 绝对现货

  • BYM358DX
    BYM358DX

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 0

  • D

  • 50

  • D/C0205

  • -
  • 原装现货,AF15810809722

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  • 1
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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Damper-Modulator fast, high-voltage
BYM358DX 技术参数
  • BYM357X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 - 单 电压 - 峰值反向(最大值):1500V,600V 电流 - 最大值:7A 不同?Vr,F 时的电容:- 不同?If,F 时的电阻:- 功率耗散(最大值):- 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 BYM300B170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:20mW 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.55V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):40μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):- 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60HE3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,500 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45 BYQ28EB-150HE3/81 BYQ28EB-200-E3/81
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