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配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BYG10D-E3/TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
VISHAY
SMA
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

BYG10D-E3/TR
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
18000
VISHAY
DO-214
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BYG10D-E3/TR
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
266
VISHAY
con
24+
-
二极管

BYG10D-E3/TR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
266
VISHAY
con
24+
-
二极管

BYG10D-E3/TR
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
21000
VISHAY
DO-214AC
假一赔十！
-
绝对原装现货！

BYG10D-E3/TR
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
9000
Vishay
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
渠道可追溯现货库存LY

BYG10D-E3/TR
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Vishay Semiconductors
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

BYG10D-E3/TR
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1800
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
主营优势
1801
-
100%原装正品★终端免费供样★

BYG10D-E3/TR
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4471
VISHAY
SMA
2215+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BYG10D-E3/TR
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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功能描述
整流器 1.5 Amp 200 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

BYG10D-E3/TR 技术参数

BYD77D,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-87 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 BYD77B,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 100V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-87 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 BYD37M,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 1KV 600MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:600mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-87 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 BYD33MGPHE3/73 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:3,000 BYD33MGPHE3/54 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,500 BYG10D-M3/TR BYG10D-M3/TR3 BYG10G-E3/TR BYG10G-E3/TR3 BYG10GHE3/TR BYG10GHE3/TR3 BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/I BYG10GHM3/TR BYG10GHM3/TR3 BYG10GHM3_A/H BYG10GHM3_A/I BYG10G-M3/TR BYG10G-M3/TR3 BYG10J/TR BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR3 BYG10JHE3/TR

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