BUK9Y14-40B_代理商_批发/采购【买卖IC网】BUK9Y14-40B

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BUK9Y14-40B,115
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1706+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BUK9Y14-40B
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
50
NXP/恩智浦
NA
21+
-
全新原装现货，价格有优势.

BUK9Y14-40B
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT669
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BUK9Y14-40B
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BUK9Y14-40B,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

BUK9Y14-40B,115
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NXP Semiconductors
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

BUK9Y14-40B
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
NXP
TO252-4
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BUK9Y14-40B,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 40V 56A ...

BUK9Y14-40B
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
250
NXP
NA
15+
-
全新原装现货

BUK9Y14-40B
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
30000
NEXPERIA/安世
SOT669
-
授权代理/原厂FAE技术支持

BUK9Y14-40B
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4532
NXP
SOT669
2218+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BUK9Y14-40B
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
2898
nxp
sot669
09+
-
原装现货

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 40V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK Cut Tape
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 40V 56A SOT669
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH 40V 56A SOT669

BUK9Y14-40B 技术参数

BUK9Y12-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1,500 BUK9Y12-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y12-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1423pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:65W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y12-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7973pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 25A，5V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y11-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:84A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:44.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6506pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:194W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y21-40E,115 BUK9Y22-100E,115 BUK9Y22-30B,115 BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-80E,115 BUK9Y27-40B,115 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y30-75B,115 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115 BUK9Y41-80E,115 BUK9Y43-60E,115 BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115

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