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BUK9Y07-30B

配单专家企业名单
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  • BUK9Y07-30B115
    BUK9Y07-30B115

    BUK9Y07-30B115

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：廖先生

    电话：13612973190

    地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室

  • 9000

  • NXP

  • -

  • 22+

  • -

  • 原厂渠道，现货配单

  • BUK9Y07-30B,115
    BUK9Y07-30B,115

    BUK9Y07-30B,115

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • BUK9Y07-30B
    BUK9Y07-30B

    BUK9Y07-30B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • BUK9Y07-30B,115
    BUK9Y07-30B,115

    BUK9Y07-30B,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • BUK9Y07-30B,115
    BUK9Y07-30B,115

    BUK9Y07-30B,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK， 电源-SO8

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 30V 75A ...

  • BUK9Y07-30B
    BUK9Y07-30B

    BUK9Y07-30B

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 7500

  • NXP

  • SOT-669

  • 07+pbf

  • -

  • 全新原装现货

  • BUK9Y07-30B,115 光耦
    BUK9Y07-30B,115 光耦

    BUK9Y07-30B,115 光耦

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 30000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • -

  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • BUK9Y07-30B
    BUK9Y07-30B

    BUK9Y07-30B

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人：柯小姐

    电话：0755-8273028382732023

    地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 1500

  • nxp

  • sot-669

  • 07+pbf

  • -

  • 进口原装现货，一定自己库存

  • 1/1页 40条/页 共29条 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 30V 75A LFPAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 30V, 75A, LFPAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 30V, 75A, LFPAK; Transistor Polarity
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 75A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
BUK9Y07-30B 技术参数
  • BUK9MJT-55PRF,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.8 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:* 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SO 标准包装:2,000 BUK9M9R1-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:64A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2048pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK9M85-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:434pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:31W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:73 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） 标准包装:1 BUK9M7R2-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:19.7nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2567pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK9M6R6-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-55B,115 BUK9Y12-80E,115 BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-80E,115 BUK9Y15-100E,115 BUK9Y153-100E,115 BUK9Y15-60E,115 BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B/C2,115 BUK9Y19-75B,115 BUK9Y21-40E,115 BUK9Y22-100E,115 BUK9Y22-30B,115 BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-80E,115 BUK9Y27-40B,115
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