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BTS282ZE3180AT

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BTS282ZE3180AT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
INFINEON
TO-220-7
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： BTS282ZE3230AKSA2 BTS3018TCATMA1 BTS3028SDLATMA1 BTS3028SDRATMA1 BTS3035EJXUMA1 BTS3035TFATMA1 BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1

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BTS282ZE3180AT 技术参数

BTS282ZE3180AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V FET 功能:温度保护功率耗散（最大值）:* 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:PG-TO263-7-1 标准包装:1 BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7（成形引线）供应商器件封装:PG-TO220-7 标准包装:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7 供应商器件封装:PG-TO220-7-230 标准包装:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:PG-TO220-7-180 标准包装:1 BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:PG-TO263-5 标准包装:1,000 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D