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配单专家企业名单

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说明
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BTS282ZE3180AATMA2
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
INFINEON
原厂原装
1725+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BTS282ZE3180AATMA2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
8435
INFINEON/英飞凌
NA
22+
-
可订货，请确认

BTS282ZE3180AATMA2
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
英飞凌
SOP
19+
-
全新原装正品现货,QQ:15305808...

BTS282ZE3180AATMA2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
晶体管

BTS282ZE3180AATMA2
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
晶体管

BTS282ZE3180AATMA2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BTS282ZE3180AATMA2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-TO263-7
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BTS282ZE3180AATMA2
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
148
INFINEON/英飞凌
NA
16+
-
148

BTS282ZE3180AATMA2
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1000
INFINEON
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TEMPFET - Tape and Reel

BTS282ZE3180AATMA2 技术参数

BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7（成形引线）供应商器件封装:PG-TO220-7 标准包装:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7 供应商器件封装:PG-TO220-7-230 标准包装:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:PG-TO220-7-180 标准包装:1 BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:PG-TO263-5 标准包装:1,000 BTS247ZE3043AKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-5 供应商器件封装:P-TO220-5 标准包装:500 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D