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BSZ068N06NSATMA1

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  • BSZ068N06NSATMA1
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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 328930

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • BSZ068N06NSATMA1
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 场效应管

  • BSZ068N06NSATMA1
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 328930

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 3000

  • 英飞凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 原装现货

  • BSZ068N06NSATMA1
    BSZ068N06NSATMA1

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:中国上海

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  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 优势库存,原装正品

  • BSZ068N06NSATMA1
    BSZ068N06NSATMA1

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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10

    资质:营业执照

  • 17922

  • INFINEON

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 优势代理,公司现货可开票

  • BSZ068N06NSATMA1
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

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  • BSZ068N06NSATMA1
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 328930

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 328930

  • INFINEON

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  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • BSZ068N06NSATMA1
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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3

  • 19+

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  • BSZ068N06NSATMA1
    BSZ068N06NSATMA1

    BSZ068N06NSATMA1

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主营优势

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 40A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 6.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.3V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 21nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 1500pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
  • PG-TSDSON-8-FL
  • 标准包装
  • 1
BSZ068N06NSATMA1 技术参数
  • BSZ067N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta),20A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):67nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 BSZ067N06LS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta),20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5100pF @ 30V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ065N06LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSZ065N03LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):670pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),26W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ065N03LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):670pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ088N03MSGATMA1 BSZ0901NS BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSI BSZ0901NSIATMA1 BSZ0902NS BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSI BSZ0902NSIATMA1 BSZ0904NSI BSZ0904NSIATMA1 BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NSATMA1 BSZ0910NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ097N04LS G BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1
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