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BSZ018NE2LSATMA1

配单专家企业名单
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  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 328695

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 1345

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 晶体管

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）

    资质：营业执照

  • 328695

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：王

    电话：18724450645

    地址：中国上海

  • 328695

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 优势库存，原装正品

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13969210552

    地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质：营业执照

  • 328695

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 优势库存，原装正品

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13969210552

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 328695

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 3000

  • 英飞凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -

  • 原装现货

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 深圳市高创鑫电子科技有限公司
    深圳市高创鑫电子科技有限公司

    联系人：曾小姐

    电话：0755-2330298015814019597

    地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间

    资质：营业执照

  • 5000

  • INFINEON/英飞凌/英飞凌

  • 6-XFDFN

  • 22+

  • -

  • 原装正品假一罚十

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主营优势

  • 19+

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • BSZ018NE2LSATMA1
    BSZ018NE2LSATMA1

    BSZ018NE2LSATMA1

  • 深圳市华雄半导体（集团）有限公司
    深圳市华雄半导体（集团）有限公司

    联系人：苗凤军

    电话：17623594308

    地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质：营业执照

  • 4053

  • INFINEON

  • 5K/reel

  • 2209+

  • -

  • 十年专营，供应原装正品！热卖现货！

  • 1/1页 40条/页 共12条 
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
BSZ018NE2LSATMA1 技术参数
  • BSZ018NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 标准包装:1 BSZ017NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 27A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 标准包装:5,000 BSZ014NE2LS5IFATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.45 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 标准包装:5,000 BSZ013NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 32A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 标准包装:5,000 BSY79 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1mA，1V 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BSZ034N04LSATMA1 BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03MS G BSZ035N03MSGATMA1 BSZ036NE2LS BSZ036NE2LSATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1
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