BSR33(BR4)

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说明
操作

BSR33(BR4)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
7175000
PHILIPS
SOT89
2024+
-
代理商库房现货

BSR33(BR4)
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
PHI
SOT-89
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： BSR33,115 BSR33,135 BSR33QTA BSR33TA BSR41,115 BSR41F BSR43,115 BSR43TA BSR50

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BSR33(BR4) 技术参数

BSR31TA 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT-89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BSR316PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 360mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 170μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:165pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:3,000 BSR316PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 360mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 170μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:165pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR315PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:620mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 620mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 160μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:176pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:3,000 BSR315PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:620mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 620mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 160μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:176pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR50_D74Z BSR50_J35Z BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1 BSR802N L6327 BSR802NL6327HTSA1 BSR92PH6327XTSA1 BSR92PL6327HTSA1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 BSS-016-01-L-D-DP-EM2 BSS-025-01-C-D-A