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BSH111,215

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BSH111,215
    BSH111,215

    BSH111,215

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 9500

  • NXP

  • SOT-23

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • BSH111,215
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    BSH111,215

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • 全新原装现货

  • 05+

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • BSH111,215
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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • SOT-23(TO-236AB)

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 55V 335M...

  • BSH111,215
    BSH111,215

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • NXP

  • SOT-23

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • BSH111,215
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3555

  • PHILIPS

  • SOT23

  • 201320+

  • -
  • 原装正品,现货库存。400-800-03...

  • BSH111,215
    BSH111,215

    BSH111,215

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 2520

  • NXP

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新进口

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  • NXP原装特卖,数量随时变化下单需确认!

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 一级代理,原装正品现货!!

  • BSH111,215
    BSH111,215

    BSH111,215

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • Philips Semiconducto

  • N/A

  • 15+

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  • 原装正品 价格优势!

  • BSH111,215
    BSH111,215

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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • BSH111,215
    BSH111,215

    BSH111,215

  • 深圳市远晨电子有限公司
    深圳市远晨电子有限公司

    联系人:周小姐/詹小姐

    电话:0755-839722581341006000718138206816

    地址:深圳市福田区振兴西路101号华匀大厦1栋401室

    资质:营业执照

  • 300000

  • NXP

  • SOT-23

  • 18+

  • -
  • 原装正品现货83972258

  • BSH111,215
    BSH111,215

    BSH111,215

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 39000

  • nxp

  • sot-23

  • 16+

  • -
  • 进口原装现货,一定自己库存

BSH111,215 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSH111,215 技术参数
  • BSH10-E 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 10-12 AWG Yellow 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:有效 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:10-12 AWG 绝缘:完全绝缘热缩件 特性:铜焊缝 颜色:黄 标准包装:20 BSH108,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):190pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 1A,10V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BSH105,235 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.05A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):570mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):152pF @ 16V 功率 - 最大值:417mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:10,000 BSH105,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.05A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):570mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):3.9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):152pF @ 16V FET 功能:- 功率耗散(最大值):417mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 600mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BSH103,235 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):850mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):400mV @ 1mA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 500mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BSH-120-01-F-D-A-TR BSH-120-01-F-D-EM2 BSH-120-01-F-D-LC BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR BSH-120-01-L-D-EM2 BSH-120-01-L-D-LC BSH-120-01-L-D-LC-TR
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