BSD316SNL6327XT

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BSD316SNL6327XT
深圳市华芯盛世科技有限公司
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865000
INFINEON
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资质：营业执照
0
原厂封装
10000
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BSD316SNL6327XT
深圳市众芯微电子有限公司
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R

BSD316SNL6327XT 技术参数

BSD316SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSD314SPEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD314SPEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSD235NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR BSE-020-01-L-D-A-GP BSE-020-01-L-D-A-TR