BSD214SNL6327

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BSD214SNL6327
北京京华特科技有限公司
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联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
Infineon technologies
N/A ㊣品
N/A 全新进口
-
国内授权代理分销

BSD214SNL6327
深圳市欧和宁电子有限公司
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联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
INFINEON
SOT-363
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

BSD214SNL6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
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地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
13675
INFINEON
SOT363
11+
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全新原装现货

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363

BSD214SNL6327 技术参数

BSD214SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSD214SN L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD-08BFFM-SR6A10 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件状态:在售标准包装:10 BSD-08BFFM-SR6A05 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件状态:在售标准包装:10 BSD-08BFFM-SR6A02 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件状态:在售标准包装:10 BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNL6327XT BSD340NH6327XTSA1 BSD816SNH6327XTSA1 BSD816SNL6327HTSA1 BSD840N L6327 BSD840NH6327XTSA1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2