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BSC9131NLN1HHHB
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
NXP
520-FBGA
22+
-

BSC9131NLN1HHHB
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
FreescaleSemiconductor-NX
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC9131NLN1HHHB
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Freescale Semiconductor -
标准封装
16+
-
假一罚十

BSC9131NLN1HHHB
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Freescale Semiconductor
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

BSC9131NLN1HHHB
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
FREESCALE
1521+
-
全新原装现货

BSC9131NLN1HHHB
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
369
Freescale Semiconductor -
520-FCBGA
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

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功能描述
微处理器 - MPU DSP, STARCORE 2 CORE
RoHS
否
制造商
Atmel
处理器系列
SAMA5D31
核心
ARM Cortex A5
数据总线宽度
32 bit
最大时钟频率
536 MHz
程序存储器大小
32 KB
数据 RAM 大小
128 KB
接口类型
CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB
工作电源电压
1.8 V to 3.3 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
FBGA-324

BSC9131NLN1HHHB 技术参数

BSC9131NLE7HHHB 功能描述:QORIQ QONVERGE SOC 800MHZ STARC 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:60 BSC9131NJN7HHHB 功能描述:QORIQ QONVERGE SOC 800MHZ STARC 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:60 BSC9131NJN1HHHB 功能描述:微处理器 - MPU DSP, STARCORE 2 CORE RoHS:否制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 BSC9131NJE7HHHB 功能描述:QORIQ QONVERGE SOC 800MHZ STARC 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:60 BSC900N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 7.6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB BSC9132NXE7MNMB BSC9132NXN7KNKB BSC9132NXN7MNMB BS-COVER BSD-04BFFM-SL6A01 BSD-04BFFM-SL6A02 BSD-04BFFM-SL6A05 BSD-04BFFM-SL6A10 BSD-04BFFM-SR6A01 BSD-04BFFM-SR6A02 BSD-04BFFM-SR6A05 BSD-04BFFM-SR6A10 BSD-05BFFM-SL6A01 BSD-05BFFM-SL6A02 BSD-05BFFM-SL6A05 BSD-05BFFM-SL6A10

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