BSC091N03MSC_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSC091N03MSC

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说明
操作

BSC091N03MSCG
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
QFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSC091N03MSCG
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
INFINEO
PG-TDSO
22+
-
全新原装现货供应

BSC091N03MSCG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
10000
INFINEON
PG-TDSON-8
22+
-
终端免费提供样品可开13%增值税发票

BSC091N03MSCG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC091N03MSCG
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
10000
INFINEON
PG-TDSON-8
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

BSC091N03MSCG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
INFINEON
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

BSC091N03MSCG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
INFINEON
QFN
18+
-
原装正品，欢迎订购

BSC091N03MSCG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
INFINEON
QFN
18+
-
原装正品，欢迎订购

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BSC091N03MSC 技术参数

BSC0911NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A，30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 12V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TISON-8 标准包装:1 BSC0910NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A， 31A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4500pF @ 12V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TISON-8 标准包装:5,000 BSC090N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），48A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:32W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC090N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），48A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:32W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC0909NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:34V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），44A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1110pF @ 15V 功率 - 最大值:27W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC097N06NSTATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 BSC0993NDATMA1 BSC0996NSATMA1 BSC100N03LSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1

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