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BLT81,115

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  • BLT81,115
    BLT81,115

    BLT81,115

    现货
  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：廖先生

    电话：13612973190

    地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室

  • 0

  • 6000

  • SOT-223

  • 21+

  • -

  • 原装正品，假一赔十！

  • BLT81,115
    BLT81,115

    BLT81,115

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 标准封装

  • 15+

  • -

  • 百分百原装假一罚十

  • BLT81,115
    BLT81,115

    BLT81,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 只做原装正品 欢迎洽谈 电话010-62...

  • BLT81,115
    BLT81,115

    BLT81,115

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1000

  • NXP SEMICONDUCTOR

  • 主营优势

  • 19+

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

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  • 1
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  • 功能描述
  • 射频双极电源晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • M/A-COM Technology Solutions
  • 配置
  • Single
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 40
  • 最大工作频率
  • 30 MHz
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 25 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • 4 V
  • 集电极连续电流
  • 20 A
  • 最大直流电集电极电流
  • 功率耗散
  • 250 W
  • 封装 / 箱体
  • Case 211-11
  • 封装
  • Tray
BLT81,115 技术参数
  • BLT80,115 功能描述:RF Transistor NPN 10V 250mA 900MHz 2W Surface Mount SC-73 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:900MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 150mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1,000 BLT70,115 功能描述:RF Transistor NPN 8V 250mA 900MHz 2.1W Surface Mount SC-73 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:8V 频率 - 跃迁:900MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2.1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 100mA，4.8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1,000 BLT50,115 功能描述:TRANS NPN UHF 7.5V SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:470MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 300mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BLT-100 功能描述:3M BELT BUCKLE BLT-100 制造商:3m 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 BLS9G3135LS-400U 功能描述:RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:12dB 电压 - 测试:32V 额定电流:4μA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:400W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:60 BLUENRG-134 BLUENRG-232 BLUENRG-234 BLUENRGCSP BLUENRG-MSCSP BLUENRG-MSQTR BLUENRGQTR BLUETOOTH-UART-1 BLUEWS BLUEWS121M BLUEWS61M BLVDS01 BLVDS03 BLVDS04/NOPB BLVDS16EVK BLVR-L01D-B1NS-N BLVR-L05D-B1NS-N BLVR-L10D-B1NS-N
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