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BLP-117

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BLP-117 技术参数
  • BLP10H690PY 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4μA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:90W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1223-2 供应商器件封装:4-HSOPF 标准包装:100 BLP10H690PGY 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4μA 噪声系数:- 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:90W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1224-2 供应商器件封装:4-HSOP 标准包装:100 BLP10H660PY 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4μA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA 功率 - 输出:60W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1223-2 供应商器件封装:4-HSOPF 标准包装:100 BLP10H660PGY 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4μA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA 功率 - 输出:60W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1224-2 供应商器件封装:4-HSOP 标准包装:100 BLP10H630PY 功能描述:RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4μA 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA 功率 - 输出:30W 电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1223-2 供应商器件封装:4-HSOPF 标准包装:100 BLP30-3000G BLP35M805Z BLP40-1005G BLP40-1012G BLP40-1024G BLP40-3000G BLP55-1005 BLP55-1005G BLP55-1012G BLP55-1024 BLP55-1024G BLP55-3000G BLP55-3300 BLP55-3300G BLP7G07S-140P,118 BLP7G07S-140PY BLP7G22-05Z BLP7G22-10,135
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