BLF6G27LS-50BN

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BLF6G27LS-50BN,112
深圳市一线半导体有限公司
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NXP
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原装现货，优势供应

BLF6G27LS-50BN,112
深圳市众芯微电子有限公司
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联系人：陈小姐
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CDFM6
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RF Mosfet LDMOS (Dua...

BLF6G27LS-50BN,112
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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BLF6G27LS-50BN 技术参数

BLF6G27LS-40PGJ 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 450mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17.5dB 12W SOT-1121E 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA 功率 - 输出:12W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121E 供应商器件封装:SOT-1121E 标准包装:100 BLF6G27LS-40P,118 功能描述:FET RF 2CH 65V 2.7GHZ SOT1121B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA 功率 - 输出:12W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标准包装:1 BLF6G27LS-40P,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 2.7GHZ SOT1121B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA 功率 - 输出:12W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标准包装:20 BLF6G27LS-135,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 2.5GHz ~ 2.7GHz 16dB 20W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:16dB 电压 - 测试:32V 额定电流:34A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.2A 功率 - 输出:20W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G27LS-135,112 功能描述:FET RF 65V 2.7GHZ SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:16dB 电压 - 测试:32V 额定电流:34A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.2A 功率 - 输出:20W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G38-100,112 BLF6G38-10G,112 BLF6G38-10G,118 BLF6G38-25,112 BLF6G38-50,112 BLF6G38-50,135 BLF6G38LS-100,112 BLF6G38LS-50,112 BLF6G38LS-50,118 BLF6G38S-25,112 BLF6G38S-25,118 BLF6H10L-160,112 BLF6H10LS-160,112 BLF6H10LS-160,118 BLF7G10L-250,112 BLF7G10L-250,118 BLF7G10LS-250,112 BLF7G10LS-250,118