BLF6G10-200RN112

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BLF6G10-200RN112
深圳市百润电子有限公司
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联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
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BLF6G10-200RN112
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
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联系人：苗凤军
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地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
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BLF6G10-200RN112 技术参数

BLF6G10-200RN,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz ~ 891.5MHz 20dB 40W LDMOST 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:20dB 电压 - 测试:28V 额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:40W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLF6G10-160RN,112 功能描述:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:39A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.2A 功率 - 输出:32W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLF6G10-135RN,112 功能描述:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:21dB 电压 - 测试:28V 额定电流:32A 噪声系数:- 电流 - 测试:950mA 功率 - 输出:26.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLF647PSJ 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 100mA 1.3GHz 17.5dB 200W CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:1.3GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:200W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标准包装:100 BLF647PS,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ ACC4L 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:1.3GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:200W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标准包装:20 BLF6G10LS-135R,118 BLF6G10LS-135RN,11 BLF6G10LS-135RN:11 BLF6G10LS-160,112 BLF6G10LS-160,118 BLF6G10LS-160RN,11 BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200R,112 BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200RN,11 BLF6G10LS-200RN:11 BLF6G10LS-260PRN,1 BLF6G10LS-260PRN:1 BLF6G10S-45,112 BLF6G13L-250P,112 BLF6G13LS-250P,112