BFU660F+115

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BFU660F+115 技术参数

BFU660F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:12dB ~ 21dB 功率 - 最大值:225mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU630F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13dB ~ 22.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU610F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13.5dB ~ 23.5dB 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 1mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU590QX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT89-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:6.5dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 80mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFU590GX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 80mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFU790F,115 BFU910FX BFV10-10L BFV10-10Q BFV10-6L BFV10-6Q BFV10-8L BFV10-8Q BFV14-10C BFV14-10L BFV14-10Q BFV14-6C BFV14-6L BFV14-6Q BFV14-8C BFV14-8L BFV14-8Q BFV18-10C