BFTD-292929GT

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制造商
PMA
功能描述
32MM T PIECE

BFTD-292929GT 技术参数

BFT93W,115 功能描述:RF Transistor PNP 12V 50mA 4GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 30mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BFT93,215 功能描述:TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 30mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFT92W,115 功能描述:TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BFT92E6327 功能描述:RF Transistor PNP 15V 25mA 5GHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:8dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10 BFT92,215 功能描述:TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 14mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFU520XVL BFU520YF BFU520YX BFU530AR BFU530AVL BFU530R BFU530VL BFU530WF BFU530WX BFU530XAR BFU530XRR BFU530XRVL BFU530XVL BFU550AR BFU550AVL BFU550R BFU550VL BFU550WF