BFR35AP-E6327

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BFR35AP-E6327
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
INFINEO
SOT-23
22+
-
全新原装现货供应

BFR35AP-E6327
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3068
INFINEON
SOT-23
2213+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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BFR35AP-E6327 技术参数

BFR340L3E6327XTMA1 功能描述:RF Transistor NPN 9V 10mA 14GHz 60mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.15dB @ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率 - 最大值:60mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:1 BFR340FH6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 9V 20mA 14GHz 75mW Surface Mount PG-TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz 增益:13dB ~ 28dB 功率 - 最大值:75mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:1 BFR32A10S1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售标准包装:25 BFR32A10P1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售标准包装:25 BFR31LT1G 功能描述:JFET N-Channel 1mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）功率 - 最大值:225mW 标准包装:3,000 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR750L3RHE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 BFR92A,215 BFR92A,235 BFR92ALT1 BFR92AW,115 BFR92AW,135 BFR92PE6327HTSA1 BFR92WH6327XTSA1