BFR31,235

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说明
操作

BFR31,235
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
10000
NXP/恩智浦
NA
22+
-
原厂原装现货

BFR31,235
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-23（TO-236AB）
18+
-
JFET N-Channel 1mA ...

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功能描述
射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 5mA
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
电阻汲极/源极 RDS（导通）
漏源电压 VDS
40 V
闸/源截止电压
5 V
闸/源击穿电压
40 V
最大漏极/栅极电压
40 V
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
25 mA to 75 mA
漏极连续电流
功率耗散
250 mW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Reel

BFR31,235 技术参数

BFR31,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BFR30LT1G 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:4mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）功率 - 最大值:225mW 标准包装:3,000 BFR30LT1 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:4mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）功率 - 最大值:225mW 标准包装:3,000 BFR30,235 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:4mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:10,000 BFR30,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:4mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BFR360L3E6765XTMA1 BFR380FH6327XTSA1 BFR380L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1 BFR505,215 BFR505T,115 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR750L3RHE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 BFR92A,215