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BFL4007

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BFL4007
    BFL4007

    BFL4007

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • ON

  • TO-220FI

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • BFL4007
    BFL4007

    BFL4007

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 24145

  • ON/安森美

  • TO-220FI

  • 22+

  • -
  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
BFL4007 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
BFL4007 技术参数
  • BFL4004-1E 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):710pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 BFL4004 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):710pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 BFL4001-1E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):850pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG 标准包装:50 BFL4001 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):850pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 BFL.4K.100.NAS 功能描述:CONN PLUG CAP FOR .4K. 制造商:lemo 系列:4k 零件状态:在售 配件类型:帽盖(盖) 配套使用产品/相关产品:4K 系列插头 外壳尺寸 - 插件:- 材料:黄铜 特性:防尘,系索,防水 颜色:银色 标准包装:1 BFM-1A-05CW BFM-1A-05E BFM-1A-12 BFM-1A-12C BFM-1A-12CW BFM-1A-12E BFM-1C-05 BFM-1C-05C BFM-1C-05CW BFM-1C-05E BFM-1C-12 BFM-1C-12C BFM-1C-12CW BFM-1C-12E BFM505,115 BFM520,115 BFN 19 E6327 BFN.1F.100.PCSG
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