BCR135E6433HTMA1

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BCR135E6433HTMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
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一级代理.原装特价现货！

BCR135E6433HTMA1
深圳市铭昌源科技有限公司
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联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
63024
Infineon Technologies
SMD
22+
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优势代理，公司现货可开票

BCR135E6433HTMA1
深圳市百润电子有限公司
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联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
6000
TI
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23+
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全新原装正品*海量现货库存*全网最低

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
AF DIGITAL TRANSISTORS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23

BCR135E6433HTMA1 技术参数

BCR135E6359HTMA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP SOT23 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BCR135E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:上次购买时间晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BCR133WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR133WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR133SH6433XTMA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:10,000 BCR141WE6327HTSA1 BCR141WH6327XTSA1 BCR142B6327HTLA1 BCR142E6327HTSA1 BCR142WE6327HTSA1 BCR142WH6327XTSA1 BCR146E6327HTSA1 BCR148E6327HTSA1 BCR148E6393HTSA1 BCR148E6433HTMA1 BCR148SE6327BTSA1 BCR148SE6433HTMA1 BCR148SH6327XTSA1 BCR148SH6433XTMA1 BCR148WE6327BTSA1 BCR148WH6327XTSA1 BCR158E6327HTSA1 BCR158WE6327HTSA1